世界初の「パワー半導体ダイオード」製品化へ、最大1200ボルトの電圧に耐える
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酸化ガリウムはシリコンと同じく液相で結晶成長が可能なため、他のワイドバンドギャップウェーハと比較すると大きくコストが削減できる可能性があり、今後も注目すべきデバイスだと考えています!
タムラ製作所からカーブアウトしたスタートアップ、ノベルクリスタルテクノロジーが最大1200ボルトの電圧に耐えられるパワー半導体ダイオードの開発に成功しました。酸化ガリウム(Ga2O3)は炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)に次ぐ、第3の次世代パワーデバイス材料として注目されており、低コストで高効率、Co2削減にも繋がるため、EVや風力発電、鉄道などの産業分野での展開が期待されています。
同じく酸化ガリウムの半導体デバイスを開発するスタートアップとしては京大発のFLOSFIAがあります。
ノベルクリスタルテクノロジー:https://www.novelcrystal.co.jp/
FLOSFIA:https://flosfia.com/遠くない将来、窒化ガリウムの一部市場は酸化ガリウムに置き換えられそう。下記が詳しいです。
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1220487.html