SiCの競争が激化、ウエハー供給不足は解消に向かう？

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• 成田 重治

  東亜エレクトロニクス株式会社 ハマトウカンパニー 品質保証部/部長代理

  ・2019年10月05日

  SiCは半導体材料として特に効率の面で非常に優れた性質を持つ。しかし、自然環境の中では極めて希少な存在。仏)市場調査会社Yoleは「SiC市場は2024年までに、年平均成長率29％で伸びて20億米ドル規模に成長する見込み」と予測。
  ・Cree、2019年5月：200mm SiCウエハー工場施設を拡張開発すべく、10億米ドルを投入。電気自動車市場、5Gの需要に対応可能になる見込み。
  ・STMicroelectronicsは、2025年：売上高目標は10億米ドルでSiC市場全体の30％を獲得予測。2019年1月にCreeとの間でSiCウエハー供給の複数年契約を締結。2019年2月：スウェーデンのNorstelの55％の株式を取得。残45％についても検討中。
  ・Creeは、STMicroelectronics向けに2億5000万米ドル規模の150mm SiCベアウエハー／エピタキシャルウエハーを供給予定。
  ・Infineon Technologiesは、2018年2月Creeとの間でSiCウエハーの長期的な供給戦略契約を締結。11月に独)新興企業Siltectraを買収しSiCウエハーを2枚に分割する技術「Cold Split」を獲得。
  ・ローム：2000年～SiC-MOSFETの基礎研究を開始。
  2009年：独)SiCウエハー材料メーカーSiCrystalを買収。ロームの世界SiC市場全体シェアは2013年12％→2018年23％まで拡大。
  ・SiCrystalはインゴット製造、ウエハー処理、パッケージアセンブリに至る垂直統合型製造プロセスを採用。
  2010年：世界初SiC-SBDおよびSiC-MOSFET、2012年には完全なSiCモジュールの量産。
  2015年：トレンチ構造を採用したSiC-MOSFET、2017年には150mmウエハーによるSiC-SBDの量産。
  
  ON SemiのBret Zahn氏は、以前は100mmウエハーが使用されていたが、より多くのSiCサプライヤーが参入するようになり市場競争が激化。コスト優位性の面から150mmウエハーの生産量増。従って、既存の100mmウエハーのサプライヤーも高品質の150mmウエハーを供給。更に新たなSiCウエハーサプライヤーも市場に参入していることから、SiCウエハーの供給不足は緩和されつつあるという。