tanaka k

EUVマスクはそもそも露光量を大きくできないので、リソ側でいくら最適化してもパターン品質悪いという問題があったと記憶しています。なのでリソでどうにもならない部分を後工程のエッチングで修正することが求められていました。パターン品質それ自体を良くするのに、LAMはCVDレジストをリリースしていたと思います。そうなってしまうとコータデベロッパが不要になるので、TELはあくまで塗布型にこだわり、メタル含有レジストとかリリースがありました。 こういう楕円パターン寸法をエッチング工程で制御するというのも各社やっていました。楕円が大きすぎればショート、小さいとコンタクトしないので、そもそも必須技術です。パターンの粗密（楕円の長軸短軸）に応じてLoading効果が発生するので、普通のエッチング装置でも各種デポジションとエッチングを組み合わせることで多少の長軸短軸独立制御はできます。ただし、長軸だけ拡大するというのは難易度が高く、完全な円から楕円をつくるのは原理的に不可能です。 それを実現するには、この装置のようにイオンを斜め入射させる必要がありますが、普通のエッチング装置ではできません。AMATはもともとイオン照射装置を持っていて、ウェハを傾けることで斜めイオン入射させることもできました。実際にその装置で楕円の長軸短軸制御も実証していました。 普通そういうイオン照射装置は大きくなりがちで、このリリースにあるような小型化がどのように行われているのか、興味をそそられるところです。普通のプラズマエッチング装置でステージを傾ける手もありますが、プラズマも一緒に傾くので、効果は限定的です。動画ではライン状に照射しているので、ラインイオンビーム源を作ったのかもですね。

マルチフィジックス、マルチスケールで半導体製造工程全体をカバーできそう

機械学習ポテンシャルを使ったMD