東芝、省エネ半導体を増産 EVで需要、25年度に10倍

コメント

注目のコメント

• Kato Jun

  ユーザベース SPEEDAアナリスト

  ・2021年12月04日

  パワー半導体、なかでもSiCを巡る話中心。
  既存パワー半導体との比較で、下記がポジショニングが分かりやすく、ざっくりSiCは高電圧（IGBT代替）、GaNは高周波数（MOSFET代替）。
  https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00065/00517/?P=2