全速力で駆ける欧米と急追中国、日本のパワー半導体は危機感持て
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「環境負荷」の温暖化ガスについて。
パワー半導体は当然ながら製造工程での検査（電気特性測定）も大電流・高電圧で行うことになります。従来のSi系IGBTからSiC系MOSFETへの置換が進んでいるところですが、同じクラスのものでもチップサイズが1/2～1/3程度に小さくなります。
その影響でチップ表面の絶縁保護膜の寸法も縮小されており、大気中で2kVとか印加すると空間放電や沿面放電を起こします。（パッシェン曲線などを参照。ちなみに客先で使用されるときはディスクリート品ならパッケージ化されていたり、モジュール品ならゲルで充填されているので問題にはなりません。）
これを防ぐには空気よりも絶縁耐圧性の高いガスでパージする手法があり、SF6等が用いられます。ただし、SF6は温室効果がCO2の23,900倍、大気寿命が3,200年と負荷が高く、基本的には回収が義務付けられています。
製造工程中で電特測定するのは主にEDSと、ダイシング後のベアチップ状態の2工程になりますが、より電気的負荷をかけられるのはダイシング後。つまり1チップずつ測定しなければなりません。この時に1チップずつチャンバに格納してパージしていては、生産性を大きく損ないます（装置価格に占めるテスタそのものの価格が大きいので、テスト以外にかかる時間をなるべく抑えないと原価に償却費が乗ってしまう）。この問題を各社がどうクリアするのか興味深いところです。
ディスクリート品ならベアチップで検査せず、完成品状態で検査すれば良いのですが、モジュール品は複数チップ使いなので不良チップが混じっていた場合の廃棄損額が大きい。なるべくチップ単体でフィルタリングしておきたいところです。
半導体で環境負荷というと前工程が注目されがちですが、意外とテスト工程も無視できません。
