半導体の微細化を継続していくための材料工学(3) パターンばらつきの解決は先端ロジックのさらなるスケーリングに不可欠

コメント

注目のコメント

• tanaka k

  汎用エンジニア

  ・2021年07月07日

  エッジラフネスとか、パターンがつながったり切れたりする欠陥は、線幅が細くなったからというより、EUV露光量を大きくできないところに要因があります。つまりEUVリソの弱点ですね。
  
  対策としては、レジストにEUV吸収材料を混ぜたり、リソの後工程であるエッチング工程を最適化したりすることが考えられています。
  
  というのがLAMから出てましたね。この記事はAMATだけど具体性に欠ける。