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IGBTのトレンチ構造のゲートを3カ所設け、それぞれのタイミングをうまくずらしながらオン・オフ動作させることによって、出力電圧の上昇を抑えることで消費電力を減らした技術です。電子と正孔の二つのキャリアを使うバイポーラ動作ですので、電流は大きくとれる点は同じですが、スイッチング速度の点ではあまり変わりません。少数キャリアの蓄積時間は残りますので。ただし、スイッチング時の電圧損失が大きく減るため。スイッチング損失が減ります。回路技術として面白いと思います。
大規模な太陽光発電設備などの場合、すでにインバーターの変換効率は98%超になってきているので、IGBTの損失が半分になっても発電量に換算すると1%くらいの向上効果でしょうか。

その発電量増加分で投資回収期間が短くなる製品価格であれば、ぜひ採用したいですね。
IGBTでも、まだ、改良で、これだけ(40.5%!)損失低減ができるのですね

(以下、記事中から引用)
東芝が開発したのは、パワー半導体の一種である「IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)」。ゲート電極を三つ持つ新構造を採用したほか、スイッチのオン・オフを高精度に切り替える制御技術を開発。これにより、従来のIGBTと比べて、スイッチを入れた際に50%、切る際に28%(全体で最大40・5%)電力損失を低減した。

従来のIGBTは、スイッチオン状態の際に発生する「導通損失」を低減すると、オン・オフ切り替え時に発生する「スイッチング損失」が増えてしまうトレードオフの関係にあり、課題となっていた。新構造の採用などにより、導通損失を増加させることなく、スイッチング損失の低減に成功した。

※個人的な見解であり、所属する会社、組織とは全く関係ありません
パワー半導体における日系企業の力を示した。
これからロジック半導体、さらに半導体の設計能力を増してくると、いずれ日本はもう一度半導体強国に近づいていく。
日はまた昇る!STAY GOLD!!
株式会社東芝(とうしば、英語: TOSHIBA CORPORATION)は、日本の大手電機メーカーであり、東芝グループの中核企業である。 ウィキペディア
時価総額
2.14 兆円

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