TSMCなど、2D材料を用いた1nm以降のプロセス向け電極材料を開発

コメント

注目のコメント

• 藤原 寛朗

  一般社団法人SPACETIDE

  ・2021年05月27日

  集積回路を構成するベーシックな素子はMOSFETです。
  電流導通状態時は「ソース - チャネル - ドレイン」のパスで電流が流れます。
  微細化が進むというのは色々な意味がありますが、一般的には上記の「チャネル」の長さが短くなることを示します (現在は1桁 nmの世界です。)
  
  つまり、上記パスを考慮すると、微細化が進むことにチャネルの抵抗が少なくなるため、ソース・ドレインでの金属・半導体界面での抵抗が大きく見えてきます。以上より、微細化が進むと必然的に金属・半導体界面の抵抗という課題が生じるようになります。
  
  しかし、チャネル微細化の検討も進み、電極(金属)・半導体界面に関する検討も進み………また基礎研究ではさらに拘束な新規半導体研究もありということで、集積回路の世界はまだまだ発展しそうですね。
  今後がますます楽しみです！
• 大槻 智洋

  日本の老舗インキュベーター Incubation and Investment Manager

  ・2021年05月27日

  ビスマスはいいとして､”半導体単層遷移金属ジカルコゲナイド”とは。
• 上田 真大

  フリーザ 一味 総務・非戦闘員

  ・2021年06月03日

  回路幅って1nmまで縮小出来るんだ驚いた。