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「回路線幅xxナノメートル」という記述があり、いつも半導体の世代を議論するときにはこの値が話題になります。ざっくりいうと、回路はプリントゴッコ(既に死語)と同じ要領で、パターンの転写・焼付を行って作っていきます。リソグラフィというやつです。そんなの、単に転写するだけでいいだろうと思われると思いますが、ここで出てくるのが高校の物理で習う光の回折という現象です。複数の透過領域があると、そこから出た光が波としての性質を発揮し、互いに干渉するため思った焼付を行う事ができません。
可視光は数百nmの波長を持つので、既にNG。最新技術については追いかけていませんが、波長的に紫外線かX線の領域。ただX線は透過性があります。
なぜ微細化したいかについては下記ムーアの法則をご参照。人間、「３年後はこの性能になるはず」と言われると知恵を絞って各社ちゃんと実現してしまうのがすごいなぁ、と思ってしまいます。
輸出規制品目で話題になったレジストは、このパターンを照射する先です。半導体を作る上でどれだけ大切かわかると思います。
Huaweiが採用する技術は枯れた技術のように見えますが、ROHMと同じ様にコストメリットを狙ってのものでしょうか。
半導体リソグラフィ技術の動向と東芝の取組み
https://www.toshiba.co.jp/tech/review/2012/04/67_04pdf/a02.pdf
電磁波
https://ja.wikipedia.org/wiki/%E9%9B%BB%E7%A3%81%E6%B3%A2
ナノリソグラフィ
https://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%8A%E3%83%8E%E3%83%AA%E3%82%BD%E3%82%B0%E3%83%A9%E3%83%95%E3%82%A3
ムーアの法則
https://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%A0%E3%83%BC%E3%82%A2%E3%81%AE%E6%B3%95%E5%89%87
レジスト
https://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%AC%E3%82%B8%E3%82%B9%E3%83%88
45nmというのは、Intelが2007年に出したCore 2のプロセスレベル…用途によっていまでもこういう線幅もあるが、線幅が太いほど回路は大きくなる。大きくなるというのはスマホに入れられないし、電力効率も悪い。
『22年の終わりまでには20nmの５Ｇ通信機器用チップを製造することを目指す。』について、出来たとしても他社比で性能として使い物になるものではないと思う。
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/1112/intel.htm
ファーウェイのやり方は正しいが、果たして成功するだろうか。
またアメリカは中国の５Gを排除したく、日本もそれを追随している。
５Gのところでは日本アメリカは本当にやる気があるのか。技術的にファーウェイを超えるだろうか。
国際社会では非常に矛盾している。ファーウェイは5Gをやりたいが、アメリカは半導体を通して、それを邪魔している。しかし、アメリカ自身は5Gをやる気はない。
日本も本当にやろうとしない。
非常に理解できない。
45nmがHuawei基準の45nmであって、他社基準だと65nmだったり、もしかしたら32nm相当かもしれない。実際に製造された半導体の評価が気になる。
半導体開発、工場建設の過程で、先端の5nmや3nmの製造には不十分でも、一部分で必要になるような、Huawei独自の技術が特許を取得する可能性は当然ある。
クロスライセンス、トップ企業に対する牽制、最終的には中国へ米国の技術使用を許可させるところまで狙っているのかな。
そのためには、なんであれ踏み出さないといけない。