新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に

コメント

注目のコメント

• tanaka k

  汎用エンジニア

  ・2020年08月23日

  これはすごい。何がすごいかというと、第一原理計算からボトムアップで量産レベルの技術にまで昇華している。ここまで原理原則に忠実にやって結果を出すには、相応の実力が必要で、そう簡単なものではない。
  
  第一原理計算はシュレディンガー方程式で電子運動を計算するもので、多原子系は近似が入るものの、物質の特性を決める根源的な要因である電子運動を計算するため、物質の特性を高い確度で予言することができる。
  
  第一原理計算では10原子単層表面系でも大規模とされるので、ここまでの計算はスパコンじゃないと厳しい。スパコンの正しく効果的な使い方のひとつと思う。
  
  記事にある通り、Siの均一成膜も、熱酸化も、今の製造技術であればなんの問題もなく量産できる。SiO2をALDで堆積しても良いかも。