サムスン、12兆円の大型投資 非メモリー半導体に活路
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サムスンによるファウンドリーフォーラムでの目玉が、微細シートによるゲート・オール・アラウンド（GAA）方式の３ナノメートルプロセス技術だったので、これを全面採用したマイクロプロセッサーなどの開発・製造に巨額の投資を行うということではないでしょうか。従来のフィンFET方式の７ナノチップと比べて４５％の面積減少、５０％省エネ、３５％のパフォーマンス向上が図れるそう。CNETでは、このサムスンの「MBC（マルチ・ブリッジ・チャネル）FET」によるスマートフォンなどモバイル向けチップが２０２１年にも量産入りし、次いでGPUやAIチップなどデータセンターに使われる高性能チップが２０２２年に量産化される見通しと報道しています。
https://www.cnet.com/news/samsung-beats-chip-rivals-with-gate-all-around-speed-boosting-tech/記事に書かれている事は、先月末に発表していますね。
『サムスン、半導体事業に約13兆円投資へ－2030年まで -』
https://newspicks.com/news/3848609/
ファウンドリーフォーラムのイベントで、改めて投資に関するコメントがあったのでしょうか。
『Samsung Electronics’ Leadership in Advanced Foundry Technology Showcased with Latest Silicon Innovations and Ecosystem Platform – Samsung Global Newsroom -』
https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-leadership-in-advanced-foundry-technology-showcased-with-latest-silicon-innovations-and-ecosystem-platform
