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半導体(パワー)
モーター駆動、バッテリー充電、またはマイコンやLSIを動作させるなど、電源(電力)の制御や供給を行うことを目的とした半導体を製造する企業群
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12Picks
GaNパワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモーター
MONOist
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安川電機は、ACサーボドライブの新製品として、GaNパワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモーター「Σ-7F」モデルを発売した。サーボモーターとサーボパック機能を一体化し、サーボパックのアンプ部の体積比を従来の2分の1に抑えた。
17Picks
次世代パワー半導体材料で酸化ガリウム急浮上
ニュースイッチ
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次世代パワー半導体の材料の候補に、酸化ガリウム(Ga2O3)が急浮上している。電力変換効率に優れ、実用化が進む炭化ケイ素(SiC)より高性能で、生産コストも抑えられるという。京都大学発ベンチャーのFLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅俊実社長、075・963・5202)が、Ga2O3製のショットキーバリアーダイオード(SBD)を開発。実用化の研究で先行するSiCや窒化ガリウム(Ga...
8Picks
SiC、GaNパワー半導体対応の絶縁ゲートドライバ
EDN Japan
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アナログ・デバイセズ(ADI)は2017年5月23日、高いコモンモード過渡電圧耐性性能と低伝搬遅延を両立した小型の絶縁ゲートドライバ4製品を発表した。
11Picks
インバーターにSiCパワー半導体を採用した効果をシミュレーションで実証
MONOist
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ロームは「自動車技術展:人とくるまのテクノロジー展2017」において、電気自動車向けのSiCパワー半導体を提案する。
10Picks
パワー半導体SiC、25年までに6.9倍の成長。市場を牽引する日本企業の最新技術
エコノミックニュース
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IT技術の発展と省エネは、決して切り離して考えることはできないものだ。  今や、我々の生活はIT技術に支えられているといっても過言ではない。身近な交通機関や自動車、住宅もIT技術の塊のような世の中。
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パワー半導体市場、2025年に酸化ガリウムがGaNを抜く
EE Times Japan
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富士経済が、2025年における次世代パワー半導体市場の予測を発表した。SiC、GaNはともに堅調に成長する。加えて有望視されているのが酸化ガリウム系パワー半導体だ。特に中高耐圧領域での優位性が際立ち、2025年には、市場規模でGaNパワー半導体を上回るとみられる。
12Picks
次世代パワー半導体のウエハーを高効率に切り出す!
ニュースイッチ
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電子機器への省エネルギー要求が高まる中、炭化ケイ素(SiC)が電力損失の少ない次世代パワー半導体材料として期待されている。普及への課題は製造コストが高く加工しにくい点だ。ディスコはSiCの塊(インゴッド)から、高効率かつ高精度にウエハーを切り出す加工技術「KABRA(カブラ)」を開発した。同技術はSiC市場を切り開く一手となるか。技術開発本部の大宮直樹レーザ技術部長に聞いた。 ―カブラとは。...
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定格75Aを可能にしたパワー半導体モジュール
EDN Japan
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三菱電機は、パワー半導体モジュール「1200V 大型 DIPIPM Ver.6」シリーズのラインアップを拡充し、40kW級のパッケージエアコンに対応する75A/1200V品「PSS75SA2FT」を発売した。
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アイシン精機、車載半導体をタワージャズで量産
EE Times Japan
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タワージャズは、アイシン精機がタワージャズのパワーマネジメント技術を用いて、次世代の車載用半導体チップを量産することになったと発表した。
4Picks
銅やニッケルの電極への銀粒子焼結接合が可能に
EE Times Japan
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欧州で実用化が進むなど、世界中に拡大している次世代パワー半導体接続技術「銀粒子焼結接合」。メタライズ面が銀に限られるのが課題だったが、大阪大学はペースト(溶剤)やシートを新開発し、ニッケル(Ni)や銅(Cu)などの電極の銀粒子焼結接合を可能にした。
3Picks
次世代パワー半導体のCu電極に対応
ResOU
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大阪大学産業科学研究所の菅沼克昭教授が開発した銀粒子焼結接合は、低コストでありながら、低温、低圧、大気中の条件でダイアタッチを可能にし、しかも250℃を超える耐熱で高信頼性を実現することから、次世代パワー半導体ダイアタッチの本命として世界に普及が始まっています。 昨年、その接続メカニズムをナノレベルで解明しましたが、技術の鍵は銀と酸素の反応にあり、このため接合電極は銀に限られていました。 一...
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インフィニオンの牙城を崩せるか。三菱電機が欧州にパワー半導体の拠点
ニュースイッチ
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三菱電機は欧州にパワー半導体の技術マーケティング拠点を開設する。ドイツの販売拠点内に専門の人員を置き、2017年度から本格的な活動を始める。欧州の大学とのオープンイノベーションや、技術団体への参画などを行うのが狙い。現地のニーズを収集し、欧州事業の拡大につなげる。現在、欧州でのパワー半導体市場のシェアは15%程度だが、近い将来には20%超にすることを目指す。 すでにドイツ販売拠点に専門人材を...
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村田製作所、米半導体ベンチャーを買収する狙い(ニュースイッチ)
Yahoo!ニュース
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村田製作所は小電力パワー半導体を開発する米アークティック・サンド・テクノロジーズ - Yahoo!ニュース(ニュースイッチ)
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SiCなど難加工材半導体向け研磨パッドを開発
EE Times Japan
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帝人フロンティアは、次世代パワー半導体材料として期待されるSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)の仕上げ加工を、高速かつ低コストで実現できる研磨パッドを開発した。
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新幹線、新型車両「N700S」床下のヒミツ
ニュースイッチ
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JR東海は2020年度に東海道新幹線に投入する新型車両「N700S」の開発を進める。床下の駆動システムのコンバーター、インバーターに炭化ケイ素(SiC)素子のパワー半導体を採用し、小型・軽量化する。顔である先頭車両の形状はシミュレーションと風洞実験により、風切り音などの騒音を数%減らす。 13年に投入した「N700A」以来の新型車両で、SiC素子は大手電機メーカー4社と共同開発した。SiC素...
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パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
EE Times Japan
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EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回のテーマはパワー半導体。「SiCやGaNを使う次世代パワー半導体に期待はあるが、シリコンから置き換わるのは何年も先だろう」と専門家は見ています。
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SiCパワー半導体が300℃でも動作する基板構造
EE Times Japan
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昭和電工と大阪大学の菅沼克昭氏が推進するプロジェクトは2016年7月19日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体が300℃の高温域においても安定的に動作する基板構造を開発したと発表した。
9Picks
スマホ部品の実力者がGEと次世代パワー半導体の回路を共同開発
ニュースイッチ
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太陽誘電は25日、米ゼネラル・エレクトリック(GE)のベンチャーキャピタル部門であるGEベンチャーズと、次世代半導体向け電子回路の商用化に取り組むと発表した。独自のパッケージング技術により、ワイヤボンドなく電子部品を内蔵した回路を作る。高い密度で部品を搭載でき、変換効率の高い技術として産業機器への採用を見込む。商用化の時期は、2020年以降とみられる。 炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(G...
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